當(dāng)前位置：首頁(yè) > 技術(shù)文章
硅片作為半導(dǎo)體、光伏及微電子等領(lǐng)域的核心材料，其厚度精度直接影響產(chǎn)品質(zhì)量與性能。不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)厚度測(cè)量提出多樣化需求，催生出一系列精準(zhǔn)高效的測(cè)量技術(shù)。本文結(jié)合技術(shù)原理與實(shí)際應(yīng)用場(chǎng)景，系統(tǒng)闡述多種硅片厚度測(cè)量方法。一、接觸式測(cè)量：機(jī)械與壓電技...
多層膜厚度測(cè)試是指對(duì)由多個(gè)薄膜層疊加而成的復(fù)合膜進(jìn)行厚度測(cè)量。由于多層膜通常由幾個(gè)不同材料的薄膜層組成，因此測(cè)量其厚度需要考慮不同層之間的界面影響以及每個(gè)單獨(dú)層的厚度。多層膜厚度測(cè)試儀是一款快速、準(zhǔn)確測(cè)量薄膜表征應(yīng)用的模塊化產(chǎn)品。它采用先進(jìn)的超聲波技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了較好的測(cè)量精度，具有優(yōu)秀重復(fù)性和再現(xiàn)性。產(chǎn)品可以在任何生產(chǎn)環(huán)境中操作。附帶的Windows應(yīng)用軟件管理數(shù)據(jù)傳輸和自動(dòng)超聲波波形分析。目前，產(chǎn)品可應(yīng)用于在線(xiàn)膜厚測(cè)量、測(cè)氧化物、SiNx、感光保護(hù)膜和半導(dǎo)體膜。同時(shí)多層膜厚度...
金屬鍵合是一種廣泛應(yīng)用于制造業(yè)中的連接技術(shù)，它可以將兩個(gè)或多個(gè)金屬部件牢固地連接在一起。這種技術(shù)被廣泛應(yīng)用于汽車(chē)、航空、工程和電子行業(yè)中的制造過(guò)程中。金屬鍵合設(shè)備是實(shí)現(xiàn)金屬鍵合技術(shù)的關(guān)鍵部分。常見(jiàn)的金屬鍵合設(shè)備包括：1.焊接機(jī)：焊接機(jī)是一種將金屬部件加熱至熔點(diǎn)的設(shè)備，并使用填充材料來(lái)填補(bǔ)縫隙使兩者連接的設(shè)備。常見(jiàn)的焊接機(jī)包括氬弧焊機(jī)、激光焊機(jī)和摩擦焊機(jī)等；2.釬焊機(jī)：釬焊機(jī)是一種將金屬部件加熱至釬劑熔點(diǎn)的設(shè)備，并使用釬劑來(lái)連接金屬部件的設(shè)備。常見(jiàn)的釬焊機(jī)包括火焰釬焊機(jī)和感應(yīng)釬...
光學(xué)膜厚儀是一種用于測(cè)量薄膜厚度的儀器。它主要基于光學(xué)干涉的原理，可以在不破壞被測(cè)物表面的情況下進(jìn)行非接觸式測(cè)量。由于其高精度、快速、穩(wěn)定等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電子、光電、化學(xué)、材料科學(xué)等領(lǐng)域中。光學(xué)膜厚儀的最大特點(diǎn)就是其測(cè)量精度非常高，一般可達(dá)nanometer級(jí)別。同時(shí)，該儀器還具有快速測(cè)量、非接觸式測(cè)量和測(cè)量范圍廣等優(yōu)勢(shì)。對(duì)于快速測(cè)量來(lái)說(shuō)，它通常只需要幾秒鐘甚至更短時(shí)間就可以完成一次測(cè)量，而且可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化測(cè)量，極大地提高了工作效率。對(duì)于非接觸式測(cè)量來(lái)說(shuō)，這種測(cè)量方式避免了...
1.2金屬鍵合對(duì)于高亮度垂直LED（high-brightnessverticalLED，HB-VLED）來(lái)說(shuō)，鍵合界面必須具有高熱導(dǎo)和高電導(dǎo)的性能，幸運(yùn)的是大部分金屬材料導(dǎo)熱性能好的同時(shí)導(dǎo)電性能也較好，使金屬鍵合技術(shù)成為目前LED產(chǎn)業(yè)中最常使用的鍵合技術(shù)，即以金屬膜為中間層實(shí)現(xiàn)晶圓對(duì)的連接。金屬鍵合技術(shù)提供了高熱導(dǎo)、低電阻、電流分布均勻及光吸收少的鍵合界面，無(wú)論是對(duì)于AlInGaP紅光LED還是對(duì)于InGaN藍(lán)光LED，采用金屬鍵合技術(shù)都能有效提高其熱學(xué)、電學(xué)和光學(xué)性能，因...
0引言發(fā)光二極管（light-emittingdiode，LED）照明是利用半導(dǎo)體的電致發(fā)光發(fā)展而來(lái)的固態(tài)照明技術(shù)。自1907年第一只發(fā)光二極管問(wèn)世，到20世紀(jì)90年代，人們對(duì)LED的研究進(jìn)展緩慢，期間使用GaAs和InP等第二代半導(dǎo)體材料為光源的LED僅應(yīng)用在光電探測(cè)及顯示領(lǐng)域。直到20世紀(jì)90年代中期，日本的中村修二發(fā)明了世界上DI一只超高亮度的GaN基LED，照明領(lǐng)域的大門(mén)才向LED打開(kāi)。GaN作為繼第一代半導(dǎo)體材料Si，Ge和第二代半導(dǎo)體材料GaAs，InP等之后的第...