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在半導體制造業(yè)中，晶圓作為芯片的基礎載體，其表面質量直接決定了最終產品的性能和可靠性。晶圓在生產過程中，由于多種因素的影響，如材料純度、制造工藝、設備精度等，表面可能會出現(xiàn)各種缺陷，如劃痕、顆粒污染、裂紋、氧化層異常等。這些缺陷不僅會降低芯...
光刻技術實際上是一種精密表面加工技術，它借助于一定波長的激光光源以及選擇性的化學腐蝕和刻蝕技術把設計的微納圖案轉移到硅基板上。但是隨著集成電路功能和密度的提升傳統(tǒng)的光刻技術已經難以滿足當前對線寬越來越小的需求。但是打破衍射極限的大型光刻設備又極其昂貴。為了擺脫光學衍射極限和克服高成本的限制，一種操作簡單，成本低廉的納米壓印技術產生了。納米壓印的技術核心是充分利用機械能將剛性模板上的圖案轉到抗蝕劑上，之后再借助溶脫、剝離、刻蝕等將圖案轉移到基板上。到目前為止壓印技術已經發(fā)展出來...
白光干涉儀目前在3D檢測領域是精度高的測量儀器之一，在同等系統(tǒng)放大倍率下檢測精度和重復精度都高于共聚焦顯微鏡和聚焦成像顯微鏡，在一些納米級和亞納米級的超精密加工領域，除了白光干涉儀，其它的儀器無法達到其測量精度要求。儀器的測量原理：本儀器是利用光學干涉原理研制開發(fā)的超精密表面輪廓測量儀器。照明光束經半反半透分光鏡分威兩束光，分別投射到樣品表面和參考鏡表面。從兩個表面反射的兩束光再次通過分光鏡后合成一束光，并由成像系統(tǒng)在CCD相機感光面形成兩個疊加的像。由于兩束光相互干涉，在C...
接觸式光刻機是一種用于信息科學與系統(tǒng)科學、能源科學技術、電子與通信技術領域的工藝試驗儀器，于2016年7月12日啟用。接觸式光刻機的使用原理：其實在我國對于接觸式光刻機，曝光時掩模壓在光刻膠的襯底晶片上，其主要優(yōu)點是可以使用價格較低的設備制造出較小的特征尺寸。我們也許不知道接觸式光刻和深亞微米光源已經達到了小于0.1gm的特征尺寸，常用的光源分辨率為0.5gm左右。該設備的掩模版包括了要復制到襯底上的所有芯片陣列圖形。在襯底上涂上光刻膠，并被安裝到一個由手動控制的臺子上，臺子...
電容位移傳感器的原理是利用力學變化使電容器中其中的一個參數(shù)發(fā)生變化的方法實現(xiàn)信號的變化的。該傳感器由目標和探針兩個傳感板組成電容器。當電容器之間的距離發(fā)生改變時，電容器的電容量就會發(fā)生改變，使用適當?shù)目刂破骶蜁y出兩個傳感板距離的變化。測量原理特性：采用電容式測量原理，需要潔凈和干燥的環(huán)境，否則傳感器探頭和被測物體之間的物質介電常數(shù)的變化會影響測量結果。我們也推薦任何時候，都盡量縮短探頭到控制器之間的電纜長度。對于標準設備，配備前置放大器，電纜長度設定為1m。如果配備外置放大...
掩模對準曝光機的試驗方法：1、環(huán)境條件檢查：a、溫度、相對濕度檢查：試驗期間，用精度不低于1級的干濕球濕度計每4h測試一次環(huán)境的溫度，相對濕度。千濕球濕度計應置放在與工作臺高度一致，沒有氣流的地方；b、潔凈度檢查：試驗期間，每4h測試一次潔凈度。選用測試精度能滿足相應潔凈度等級的光學粒子計數(shù)器檢測有效工作區(qū)域的潔凈度；c、地面振動檢查：試驗期間，測試一次地面振動幅度，振動分析儀的拾振裝置應置放于工作臺機座附近。2、外觀檢查：a、用目視法進行外觀質量檢查；b、用手感方法檢查移動...